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氮化铝陶瓷 半导体用氮化铝陶瓷加热器 ALN Ceramic Heating for semiconductor 静电卡盘 ESC E-chuck
氮化铝陶瓷加热器（AlN Ceramic Heating for Semiconductor），使用高导热AlN，通过电阻加热元件的均匀烧结提供出色的温度一致性，并显着减少金属污染和杂质。
具有优异的耐热性，高机械强度，耐磨性和小介电损耗。 AlN衬底的表面非常光滑，孔隙率低。 与氧化铝基材相比，氮化铝具有较高的导热性，其高约7至8倍。 ALN衬底是优异的电子封装材料。ALN衬底应用广泛，包括薄膜和厚膜微电子，大功率和高频电路RF /微波部件和电容器或电阻器等。
TANISS自主研发氮化铝陶瓷加热器规格尺寸可根据客户需要定做。
氮化铝陶瓷加热器（AlN Ceramic Heating for Semiconductor），使用高导热AlN，通过电阻加热元件的均匀烧结提供出色的温度一致性，并显着减少金属污染和杂质。
具有优异的耐热性，高机械强度，耐磨性和小介电损耗。 AlN衬底的表面非常光滑，孔隙率低。 与氧化铝基材相比，氮化铝具有较高的导热性，其高约7至8倍。 ALN衬底是优异的电子封装材料。ALN衬底应用广泛，包括薄膜和厚膜微电子，大功率和高频电路RF /微波部件和电容器或电阻器等。
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